IGBT Ic 120 A Uce 650 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 469 W

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8297136

Producent:
ST Microelectronics

Nr producenta:
STGWT80H65DFB

EAN/GTIN:
5059042700848

Słowa kluczowe:

Dyskretne IGBT STMicroelectronics

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	120 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	469 W
Typ opakowania:	TO-3P
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Szybkość przełączania:	1MHz
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	15.8 x 5 x 20.1mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Minimalna temperatura robocza:	-55°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 8297136, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, STMicroelectronics, STGWT80H65DFB

Oferty (2)

Stan magazynu

Wysyłka

Cena ruchoma

Cena jednostkowa

Magazyn 3MTJS

PLN 15,90*

od PLN 18,232*

PLN 32,074*

PLN 12,90*

od PLN 20,15*

PLN 35,53*

Ceny: Magazyn 3MTJS

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 32,074*	PLN 39,451	za szt.
od 5 szt.	PLN 29,609*	PLN 36,419	za szt.
od 10 szt.	PLN 25,56*	PLN 31,439	za szt.
od 20 szt.	PLN 24,90*	PLN 30,627	za szt.
od 25 szt.	PLN 22,378*	PLN 27,525	za szt.
od 50 szt.	PLN 20,972*	PLN 25,796	za szt.
od 7500 szt.	PLN 18,232*	PLN 22,425	za szt.

Stan magazynu: Magazyn 3MTJS

Wysyłka: Magazyn 3MTJS

Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 3MTJS

Okres czasu:	w przeciągu 21 dni
Stan opakowania:	opakowanie oryginalne nieotwarte, brak uszkodzeń
Stan towaru:	nieużywany
Koszty przesyłki zwrotnej:	ponosi klient
Opłata manipulacyjna:	Koszty zostaną ustalone przez partnera handlowego po sprawdzeniu każdego poszczególnego przypadku.
Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu.