IGBT Ic 120 A Uce 650 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 469 W

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8297145

Producent:
ST Microelectronics

Nr producenta:
STGWT80H65FB

EAN/GTIN:
5059042367164

Słowa kluczowe:

Dyskretne IGBT STMicroelectronics

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	120 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	469 W
Typ opakowania:	TO-3P
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Szybkość przełączania:	1MHz
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	15.8 x 5 x 20.1mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Minimalna temperatura robocza:	-55°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 8297145, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, STMicroelectronics, STGWT80H65FB

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 17,605*

Cena obowiązuje od 7 500 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 30,444*	PLN 37,446	za szt.
od 5 szt.	PLN 28,184*	PLN 34,666	za szt.
od 10 szt.	PLN 24,501*	PLN 30,136	za szt.
od 20 szt.	PLN 23,801*	PLN 29,275	za szt.
od 25 szt.	PLN 21,527*	PLN 26,478	za szt.
od 50 szt.	PLN 20,065*	PLN 24,68	za szt.
od 7500 szt.	PLN 17,605*	PLN 21,654	za szt.