MOSFET N-kanałowy 900 mA E-Line 100 V Pojedynczy 850 mW 500 miliomów

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-841306

Producent:
Diodes

Nr producenta:
ZVN4310A

EAN/GTIN:
5059043890036

Słowa kluczowe:

N-Channel MOSFET, od 100V do 950V, Diody Inc

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	900 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło:	100 V
Typ opakowania:	E-Line
Typ montażu:	Otwór przezierny
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	500 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	3V
Maksymalna strata mocy:	850 mW
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	4.77mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150 °C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor mosfet, 841306, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, ZVN4310A

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 3,72*

Cena obowiązuje od 37 500 szt.

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 5 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 5 szt.	PLN 10,248*	PLN 12,605	za szt.
od 25 szt.	PLN 9,788*	PLN 12,039	za szt.
od 40 szt.	PLN 7,853*	PLN 9,659	za szt.
od 50 szt.	PLN 7,733*	PLN 9,512	za szt.
od 100 szt.	PLN 7,543*	PLN 9,278	za szt.
od 200 szt.	PLN 6,028*	PLN 7,414	za szt.
od 250 szt.	PLN 5,918*	PLN 7,279	za szt.
od 1000 szt.	PLN 5,073*	PLN 6,24	za szt.
od 2000 szt.	PLN 4,21*	PLN 5,178	za szt.
od 37500 szt.	PLN 3,72*	PLN 4,576	za szt.