Strona startowa > Automatyka przemysłowa, elektronika > Elementy aktywne > Prostowniki Tranzystory Diody > Tranzystor > IGBT > Artykuł

IGBT Ic 80 A Uce 650 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 366 W

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8427905

Producent:
onsemi

Nr producenta:
NGTB40N65FL2WG

EAN/GTIN:
5059042368208

Słowa kluczowe:

IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor

Moduł IGBT Elementy dyskretne, ON Semiconductor. Izolowane tranzystory bipolarne (IGBT) do napędu silnika i innych zastosowań związanych z przełączaniem pod wysokim napięciem.

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	366 W
Typ opakowania:	TO-247
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Szybkość przełączania:	1MHz
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	16.26 x 5.3 x 21.08mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Minimalna temperatura robocza:	-55°C

... > Półprzewodniki > Elementy dyskretne > Tranzystory IGBT

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 8427905, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, NGTB40N65FL2WG

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 13,394*

Cena obowiązuje od 6 000 szt.

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 2 szt.

Wybierz osobiście warunki zakupu

Poleć artykuł

Dodaj do listy zakupów

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 2 szt.	PLN 27,942*	PLN 34,369	za szt.
od 4 szt.	PLN 27,632*	PLN 33,987	za szt.
od 10 szt.	PLN 22,703*	PLN 27,925	za szt.
od 20 szt.	PLN 21,743*	PLN 26,744	za szt.
od 40 szt.	PLN 21,533*	PLN 26,486	za szt.
od 100 szt.	PLN 17,305*	PLN 21,285	za szt.
od 250 szt.	PLN 16,297*	PLN 20,045	za szt.
od 500 szt.	PLN 15,294*	PLN 18,812	za szt.
od 6000 szt.	PLN 13,394*	PLN 16,475	za szt.