IGBT Ic 60 A Uce 600 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 260 W

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8607325

Producent:
ST Microelectronics

Nr producenta:
STGWT30H60DFB

EAN/GTIN:
5059042514698

Słowa kluczowe:

Dyskretne IGBT STMicroelectronics

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	60 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	260 W
Typ opakowania:	TO-3P
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	15.8 x 5 x 14.1mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Minimalna temperatura robocza:	-55°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 8607325, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, STMicroelectronics, STGWT30H60DFB

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 17,238*

Cena obowiązuje od 7 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 2 szt. (od PLN 8,619* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 21,848*	PLN 26,87304	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 21,498*	PLN 26,44254	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 21,268*	PLN 26,15964	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 20,208*	PLN 24,85584	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 19,718*	PLN 24,25314	za opakowanie
od 7500 opakowania	PLN 17,238*	PLN 21,20274	za opakowanie