IGBT Ic 40 A Uce 650 V TO-3PN Pojedynczy kanał: N 349 W

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8648782

Producent:
onsemi

Nr producenta:
FGA40N65SMD

EAN/GTIN:
5059042626001

Słowa kluczowe:

Dyskretne Fairchild Semiconductor

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	40 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	349 W
Typ opakowania:	TO-3PN
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	16.2 x 5 x 20.1mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Minimalna temperatura robocza:	-55°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 8648782, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, FGA40N65SMD

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 21,686*

Cena obowiązuje od 7 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 2 szt. (od PLN 10,843* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 44,32*	PLN 54,5136	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 42,95*	PLN 52,8285	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 34,272*	PLN 42,15456	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 33,702*	PLN 41,45346	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 29,002*	PLN 35,67246	za opakowanie
od 225 opakowania	PLN 27,368*	PLN 33,66264	za opakowanie
od 450 opakowania	PLN 24,706*	PLN 30,38838	za opakowanie
od 7500 opakowania	PLN 21,686*	PLN 26,67378	za opakowanie