IGBT Ic 120 A Uce 650 V TO-3PN Pojedynczy kanał: N 600 W

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8648795

Producent:
onsemi

Nr producenta:
FGA60N65SMD

EAN/GTIN:
5059042658682

Słowa kluczowe:

Dyskretne Fairchild Semiconductor

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	120 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	600 W
Typ opakowania:	TO-3PN
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	15.8 x 5 x 20.1mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Minimalna temperatura robocza:	-55°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 8648795, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, FGA60N65SMD

Oferty (2)

Stan magazynu

Wysyłka

Cena ruchoma

Cena jednostkowa

Magazyn 3MTJS

PLN 15,90*

od PLN 14,502*

PLN 30,418*

PLN 12,90*

od PLN 18,09*

PLN 30,91*

Ceny: Magazyn 3MTJS

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 30,418*	PLN 37,414	za szt.
od 5 szt.	PLN 29,748*	PLN 36,59	za szt.
od 10 szt.	PLN 23,147*	PLN 28,471	za szt.
od 20 szt.	PLN 22,027*	PLN 27,093	za szt.
od 50 szt.	PLN 21,697*	PLN 26,687	za szt.
od 100 szt.	PLN 19,034*	PLN 23,412	za szt.
od 250 szt.	PLN 18,66*	PLN 22,952	za szt.
od 500 szt.	PLN 16,572*	PLN 20,384	za szt.
od 7500 szt.	PLN 14,502*	PLN 17,837	za szt.

Stan magazynu: Magazyn 3MTJS

Wysyłka: Magazyn 3MTJS

Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 3MTJS

Okres czasu:	w przeciągu 21 dni
Stan opakowania:	opakowanie oryginalne nieotwarte, brak uszkodzeń
Stan towaru:	nieużywany
Koszty przesyłki zwrotnej:	ponosi klient
Opłata manipulacyjna:	Koszty zostaną ustalone przez partnera handlowego po sprawdzeniu każdego poszczególnego przypadku.
Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu.