IGBT Ic 80 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 555 W

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8648855

Producent:
onsemi

Nr producenta:
FGH40T120SMD

EAN/GTIN:
5059042649765

Słowa kluczowe:

Dyskretne Fairchild Semiconductor - tranzystory IGBT

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±25V
Maksymalna strata mocy:	555 W
Typ opakowania:	TO-247
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	15.87 x 4.82 x 20.82mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Minimalna temperatura robocza:	-55°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 8648855, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, FGH40T120SMD

Oferty (2)

Stan magazynu

Wysyłka

Cena ruchoma

Cena jednostkowa

Magazyn 3MTJS

PLN 15,90*

od PLN 21,887*

PLN 43,698*

PLN 12,90*

od PLN 26,84*

PLN 47,26*

Ceny: Magazyn 3MTJS

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 43,698*	PLN 53,749	za szt.
od 2 szt.	PLN 43,478*	PLN 53,478	za szt.
od 5 szt.	PLN 42,458*	PLN 52,223	za szt.
od 10 szt.	PLN 34,665*	PLN 42,638	za szt.
od 20 szt.	PLN 34,065*	PLN 41,90	za szt.
od 100 szt.	PLN 28,146*	PLN 34,62	za szt.
od 250 szt.	PLN 26,605*	PLN 32,724	za szt.
od 500 szt.	PLN 24,927*	PLN 30,66	za szt.
od 3000 szt.	PLN 21,887*	PLN 26,921	za szt.

Stan magazynu: Magazyn 3MTJS

Wysyłka: Magazyn 3MTJS

Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 3MTJS

Okres czasu:	w przeciągu 21 dni
Stan opakowania:	opakowanie oryginalne nieotwarte, brak uszkodzeń
Stan towaru:	nieużywany
Koszty przesyłki zwrotnej:	ponosi klient
Opłata manipulacyjna:	Koszty zostaną ustalone przez partnera handlowego po sprawdzeniu każdego poszczególnego przypadku.
Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu.