IGBT Ic 40 A Uce 1200 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 230 W

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8912743

Producent:
Toshiba

Nr producenta:
GT40QR21,F(O

EAN/GTIN:
5059041634779

Słowa kluczowe:

Moduł IGBT dyskretes Toshiba

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	40 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±25V
Maksymalna strata mocy:	230 W
Typ opakowania:	TO-3P
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Szybkość przełączania:	2.5MHz
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	15.5 x 4.5 x 20mm
Energia znamionowa:	0.29mJ
Pojemność bramki:	1500pF
Maksymalna temperatura robocza:	175°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, igbt toshiba, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 8912743, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Toshiba, GT40QR21,F(O

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 15,514*

Cena obowiązuje od 7 500 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 21,083*	PLN 25,932	za szt.
od 5 szt.	PLN 19,314*	PLN 23,756	za szt.
od 10 szt.	PLN 19,164*	PLN 23,572	za szt.
od 20 szt.	PLN 18,174*	PLN 22,354	za szt.
od 50 szt.	PLN 17,684*	PLN 21,751	za szt.
od 7500 szt.	PLN 15,514*	PLN 19,082	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.