MOSFET N-kanałowy 272 A D2PAK (TO-263) 100 V SMD Pojedynczy 375 W 2,8 milioma

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-9009857

Producent:
Texas Instruments

Nr producenta:
CSD19536KTTT

EAN/GTIN:
5059042645576

Słowa kluczowe:

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	272 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	100 V
Typ opakowania:	D2PAK (TO-263)
Seria:	NexFET
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	2,8 milioma
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy:	375 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	10.67mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: 9009857, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Texas Instruments, CSD19536KTTT

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 21,94*

Cena obowiązuje od 3 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 30,136*	PLN 37,067	za szt.
od 2 szt.	PLN 30,016*	PLN 36,92	za szt.
od 5 szt.	PLN 29,06*	PLN 35,744	za szt.
od 10 szt.	PLN 26,802*	PLN 32,966	za szt.
od 15 szt.	PLN 26,628*	PLN 32,752	za szt.
od 20 szt.	PLN 25,838*	PLN 31,781	za szt.
od 25 szt.	PLN 24,98*	PLN 30,725	za szt.
od 3000 szt.	PLN 21,94*	PLN 26,986	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.