Tranzystor MOSFET N-kanałowy 34 A D2PAK (TO-263) 200 V SMD 136 W 32 miliomy

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-9114868

Producent:
Infineon

Nr producenta:
IPB320N20N3GATMA1

EAN/GTIN:
5059043256818

Słowa kluczowe:

Infineon tranzystory zasilające MOSFET OptiMOS™3, 100 V i więcej

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	34 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	200 V
Typ opakowania:	D2PAK (TO-263)
Seria:	OptiMOS 3
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	32 miliomy
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	4V
Minimalne napięcie progowe VGS:	2V
Maksymalna strata mocy:	136 W
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	10.31mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor smd, 9114868, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPB320N20N3GATMA1

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 4 780,68*

Cena obowiązuje od 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 1 000 szt. (od PLN 4,78068* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 4 999,40*	PLN 6 149,262	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 4 984,86*	PLN 6 131,3778	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 4 901,38*	PLN 6 028,6974	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 4 844,41*	PLN 5 958,6243	za opakowanie
od 500 opakowania	PLN 4 780,68*	PLN 5 880,2364	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.