|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-9133907 Nr producenta:
IRFP90N20DPBF EAN/GTIN:
5059043348872 |
| |
|
| | |
| N-Channel Power MOSFET o napięciu od 150V do 600V, Infineon. Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu. Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 94 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200 V | Typ opakowania: | TO-247AC | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 23 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 3V | Maksymalna strata mocy: | 580 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -30 V, +30 V | Długość: | 15.9mm |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |