Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

MOSFET N-kanałowy 34 A TO-247 650 V Pojedynczy 540 W 100 miliomów


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Additonal Images
Nr artykułu:
     3MTJS-9171467
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     IXFH34N65X2
EAN/GTIN:
     5059041037525
Słowa kluczowe:
Tranzystor polowy
Tranzystory polowe
Tranzystor unipolarny
Tranzystory unipolarne
N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiPerFET™ X2. Tranzystor klasy IXYS X2 klasy HiPerFET Power MOSFET o znacznie mniejszej rezystancji i stopniu naładowania bramki w porównaniu z poprzednimi generacjami tranzystorów zasilających MOSFET, co skutkuje mniejszymi stratami i większą wydajnością operacyjną. Te wytrzymałe urządzenia są wyposażone w udoskonaloną diodę wewnętrzną o dużej prędkości, która jest odpowiednia zarówno do pracy w trybie trudnym, jak i w trybie rezonansowym. Tranzystory Power MOSFET klasy X2 są dostępne w różnych standardowych pakietach, w tym w postaci izolowanych typów, o natężeniu znamionowym do 120A przy 650 V. Typowe zastosowania obejmują przemienniki DC-DC, napędy silników AC i DC, zasilanie w trybie przełączania i rezonansowym, zasilacze DC Choppers, inwertory słoneczne, sterowanie temperaturą i oświetleniem. Bardzo niski RDS(on) i QG (ładowanie bramki) Szybka dioda prostownicza Niska wewnętrzna oporność bramki Niska indukcyjność obudowy Obudowy zgodne z normami przemysłowymi
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
34 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
650 V
Typ opakowania:
TO-247
Seria:
HiperFET, X2-Class
Typ montażu:
Otwór przezierny
Liczba styków:
3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:
100 miliomów
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:
5V
Minimalne napięcie progowe VGS:
2.7V
Maksymalna strata mocy:
540 W
Konfiguracja tranzystora:
Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:
-30 V, +30 V
Długość:
16.24mm
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystor dużej mocy, Tranzystory dużej mocy, MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor polowy, 9171467, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, IXYS, IXFH34N65X2
Oferty (3)
Stan magazynu
Min. liczba zamawianych produktów
Wysyłka
Cena ruchoma
Cena jednostkowa
^
Magazyn 8WVXN
1
PLN 12,90*
od PLN 19,21*
PLN 33,59*
Magazyn 3MTJS
2
PLN 15,90*
od PLN 24,165*
PLN 41,813*
Magazyn 39JYS
4 dni
19
1
PLN 25,59*
od PLN 32,13*
PLN 43,33*
InformacjaW tym miejscu możesz wyświetlić dalsze informacje dot. wybranego artykułu: stan magazynu, minimalna wartość zamówienia, warunki zwrotu. Wszystkie wybrane informacje można ponownie ukryć przez powtórne kliknięcie.
Ceny: Magazyn 3MTJS
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 2 szt.
PLN 41,813*
PLN 51,43
za szt.
od 5 szt.
PLN 39,553*
PLN 48,65
za szt.
od 10 szt.
PLN 34,947*
PLN 42,985
za szt.
od 20 szt.
PLN 33,897*
PLN 41,693
za szt.
od 30 szt.
PLN 30,199*
PLN 37,145
za szt.
od 50 szt.
PLN 28,849*
PLN 35,484
za szt.
od 90 szt.
PLN 27,578*
PLN 33,921
za szt.
od 180 szt.
PLN 26,325*
PLN 32,38
za szt.
od 7500 szt.
PLN 24,165*
PLN 29,723
za szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 2 szt.
Minimalna liczba zamawianych produktów: 2 szt. ( odpowiada PLN 83,626* plus VAT )
Stan magazynu: Magazyn 3MTJS
Wysyłka: Magazyn 3MTJS
Wyświetl szczegółowe informacje o stanie magazynu.
Wartość zamówienia
Wysyłka
od PLN 0,00*
PLN 15,90*
od PLN 330,00*
Dostawa bezpłatna
Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 3MTJS
Okres czasu:w przeciągu 21 dni
Stan opakowania:opakowanie oryginalne nieotwarte, brak uszkodzeń
Stan towaru:nieużywany
Koszty przesyłki zwrotnej:ponosi klient
Opłata manipulacyjna:Koszty zostaną ustalone przez partnera handlowego po sprawdzeniu każdego poszczególnego przypadku.
Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.