MOSFET P-kanałowy 4,4 A SOT-23 40 V SMD Pojedynczy 2,5 W 108 mΩ

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-9194208

Producent:
Vishay

Nr producenta:
SI2319CDS-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040667686

Słowa kluczowe:

P-Channel MOSFET, 30 V do 80 V, Vishay Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	P
Maksymalny ciągły prąd drenu:	4,4 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	40 V
Typ opakowania:	SOT-23
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	108 mΩ
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	1.2V
Maksymalna strata mocy:	2,5 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	3.04mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 9194208, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI2319CDST1GE3

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 2 313,27*

Cena obowiązuje od 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 3 000 szt. (od PLN 0,77109* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 2 461,89*	PLN 3 028,1247	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 2 420,19*	PLN 2 976,8337	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 2 377,35*	PLN 2 924,1405	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 2 354,46*	PLN 2 895,9858	za opakowanie
od 500 opakowania	PLN 2 313,27*	PLN 2 845,3221	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.