MOSFET ON Semiconductor FDP22N50N N/A N/A FDP22N50N

MOSFET ON Semiconductor | FDP22N50N Dane techniczne: C(ISS): 3200 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 22 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: OnS · Maksymalna temperatura robocza: +150 °C · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Moc (maks) P(TOT): 312.5 W · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 500 V · Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V · Napięcie odniesienia Q(G): 10 V · Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V · Natężenie odniesienia R(DS)(on): 11 A · Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 250 µA · Obudowa: TO-220-3 · Producent: ON Semiconductor · Q(G): 65 C · R(DS) wł.: 220 mΩ · Rodzaj (typ producenta): FDP22N50N · Rodzaj montażu: do montażu w otworach · Seria (elementu półprzewodnikowego): UniFET™ · Typ tranzystora: MOSFET · U(DSS): 500 V · U(GS)(th) max.: 5 V · Wykonanie: Kanał-N · Zgodne z RoHS: Tak