Tranzystor małosygnałowy Infineon BSS 139, kanał N, SOT 23, I(D) 40 mA, U(DS) 25

Tranzystor małosygnałowy Infineon Infineon Technologies BSS139 | Dane techniczne: C(ISS): 76 pF · Cecha tranzystora: z trybem wyczerpywania · I(d): 100 mA · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: INF · Maksymalna temperatura robocza: +150 °C · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Moc (maks) P(TOT): 360 mW · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 250 V · Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V · Napięcie odniesienia Q(G): 5 V · Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V · Natężenie odniesienia R(DS)(on): 0.1 mA · Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 56 µA · Obudowa: TO-236-3 · Producent: Infineon Technologies · Q(G): 3.5 C · R(DS) wł.: 14 Ohm · Rodzaj (typ producenta): BSS139 · Rodzaj montażu: montaż na powierzchni · Rodzaj produktu: MOSFET · Seria (elementu półprzewodnikowego): SIPMOS® · U(DSS): 250 V · U(GS)(th) max.: 1 V · Wykonanie: Kanał-N