Tranzystor polowy FET IXYS IXFN100N50P Kanał N Rodzaj obudowy SOT-227B N/A N/A I

Tranzystor polowy FET IXYS IXFN100N50P | Dane techniczne: C(ISS): 20000 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 90 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: IXY · Maksymalna temperatura robocza: +150 °C · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Moc (maks) P(TOT): 1040 W · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 500 V · Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V · Napięcie odniesienia Q(G): 10 V · Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V · Natężenie odniesienia R(DS)(on): 50 A · Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 8 mA · Obudowa: SOT-227B · Producent: IXYS · Q(G): 240 C · R(DS) wł.: 49 mΩ · Rodzaj (typ producenta): IXFN100N50P · Rodzaj montażu: obudowa · Rodzaj produktu: MOSFET · Seria (elementu półprzewodnikowego): PolarHV™ · U(DSS): 500 V · U(GS)(th) max.: 5 V · Wykonanie: Kanał-N Wskazówki: Może wystąpić niezgodność z danymi producenta, gdyż urządzenie z reguły jest dostarczane bez śrub przyłączeniowych, ponieważ ich długość zależy od danego zastosowania. Śruby w odpowiednich długościach z pierścieniami sprężystymi i podkładkami należy zamawiać osobno!