Tranzystor unipolarny (MOSFET) IXYS IXTN550N055T2 Kanał N Rodzaj obudowy SOT-227

Tranzystor unipolarny (MOSFET) IXYS IXTN550N055T2 | Dane techniczne: C(ISS): 40000 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 550 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: IXY · Maksymalna temperatura robocza: +175 °C · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Moc (maks) P(TOT): 940 W · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 55 V · Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V · Napięcie odniesienia Q(G): 10 V · Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V · Natężenie odniesienia R(DS)(on): 100 A · Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 250 µA · Obudowa: SOT-227B · Producent: IXYS · Q(G): 595 C · R(DS) wł.: 1.3 mΩ · Rodzaj (typ producenta): IXTN550N055T2 · Rodzaj montażu: obudowa · Rodzaj produktu: MOSFET · Seria (elementu półprzewodnikowego): GigaMOS™,TrenchT2™ · U(DSS): 55 V · U(GS)(th) max.: 4 V · Wykonanie: Kanał-N Wskazówki: Może wystąpić niezgodność z danymi producenta, gdyż urządzenie z reguły jest dostarczane bez śrub przyłączeniowych, ponieważ ich długość zależy od danego zastosowania. Śruby w odpowiednich długościach z pierścieniami sprężystymi i podkładkami należy zamawiać osobno!