Tranzystor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFB 11 N 50 A, kanał N, TO 220, I(D) 11 A, U(

Tranzystor MOSFET Vishay Vishay IRFB11N50APBF | Dane techniczne: C(ISS): 1423 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 11 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: VIS · Maksymalna temperatura robocza: +150 °C · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Moc (maks) P(TOT): 170 W · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 500 V · Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V · Napięcie odniesienia Q(G): 10 V · Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V · Natężenie odniesienia R(DS)(on): 6.6 A · Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 250 µA · Obudowa: TO-220 · Producent: Vishay · Q(G): 52 C · R(DS) wł.: 520 mΩ · Rodzaj (typ producenta): IRFB11N50APBF · Rodzaj montażu: do montażu w otworach · Rodzaj produktu: MOSFET · U(DSS): 500 V · U(GS)(th) max.: 4 V · Wykonanie: Kanał-N