Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor FET 2N International Rectifier IRLR120N HEXFET D-PAK.


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     7619-162845-BP
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     IRLR120N
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
MOSFET mocy
MOSFET dużej mocy
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystor FET Infineon Technologies IRLR120N | Dane techniczne: C(ISS): 440 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 10 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: INF · Maksymalna temperatura robocza: +175 °C · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Moc (maks) P(TOT): 48 W · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 100 V · Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V · Napięcie odniesienia Q(G): 5 V · Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V · Natężenie odniesienia R(DS)(on): 6 A · Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 250 µA · Obudowa: TO-263-3 · Producent: Infineon Technologies · Q(G): 20 C · R(DS) wł.: 185 mΩ · Rodzaj (typ producenta): IRLR120N · Rodzaj montażu: montaż na powierzchni · Rodzaj produktu: MOSFET · Seria (elementu półprzewodnikowego): HEXFET® · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) max.: 2 V · Wykonanie: Kanał-N
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory MOSFET, Tranzystor, Tranzystory, mosfet mocy, Infineon Technologies, IRLR120N, 541-0222
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
Jest w magazynie Jest w magazynie
od PLN 6,26*
  
Cena obowiązuje od 15 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 8,09*
PLN 9,95
za szt.
od 10 szt.
PLN 7,85*
PLN 9,66
za szt.
od 20 szt.
PLN 7,68*
PLN 9,45
za szt.
od 50 szt.
PLN 7,30*
PLN 8,98
za szt.
od 100 szt.
PLN 7,18*
PLN 8,83
za szt.
od 15000 szt.
PLN 6,26*
PLN 7,70
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.