BJT, SOT-23, 45V, 800mA, NPN Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 50 MHz · Dalsze dane techniczne: Typ: SMD Obudowa: SOT-23 Napięcie kolektor-emiter - VCEO: 45V Prąd kolektora DC - IC: 800 mA Polaryzacja - biegun: NPN Temperatura złącza - Tjmax: 150°C Rozpraszanie mocy — Pcał.: 0,310 W Współczynnik prądowy bazy kolektora - hfe: 250 VCE: 1V Układ scalony: 100mA Napięcie nasycenia kolektora - VCEsat: 700 mV Układ scalony: 500mA IB: 50mA Częstotliwość tranzytowa - stopy: 100 MHz Układ scalony: 10mA VCE: 5V f: 50MHz · Moc (maks) P(TOT): 0.31 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 45 V · Prąd kolektora I(C): 800 mA · Saturacja VCE (maks.): 700 mV · Sposób montażu: montaż na powierzchni · Typ obudowy półprzewodnika: SOT-23 · Wykonanie: NPN · Wzmocnienie DC (hFE): 250 |
