BJT, SOT-23, 65V, 100mA, NPN Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 100 MHz · Dalsze dane techniczne: Typ: SMD Obudowa: SOT-23 Napięcie kolektor-emiter - VCEO: 65V Prąd kolektora DC - IC: 100mA Polaryzacja - biegun: NPN Temperatura złącza - Tjmax: 150°C Rozpraszanie mocy — Pcał.: 0,250 W Współczynnik prądowy bazy kolektora - hfe: 520 VCE: 5V Układ scalony: 2mA Napięcie nasycenia kolektora - VCEsat: 600 mV Układ scalony: 100mA IB: 5mA Częstotliwość tranzytowa - stopy: 300 MHz Układ scalony: 10mA VCE: 5V f: 100MHz · Moc (maks) P(TOT): 0.25 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 65 V · Prąd kolektora I(C): 100 mA · Saturacja VCE (maks.): 600 mV · Sposób montażu: montaż na powierzchni · Typ obudowy półprzewodnika: SOT-23 · Wykonanie: NPN · Wzmocnienie DC (hFE): 520 |
