Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Infineon Technologies IKW15N120H3FKSA1 IGBT 1 szt.


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Produktabbildung
Produktabbildung
Nr artykułu:
     7619-3027155-BP
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     IKW15N120H3FKSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor dużej mocy
INFINEON IGBT IGW_, IGZ_, IKW_, IKZ_ TO Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 21 ns · Dalsze dane techniczne: (UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 5,8 V · (ICpuls) Impulsowy prąd kolektora: 60 A · Napięcie kolektora-emitera U(CES): 1200 V · Opakowanie: tuba · Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2): 260 ns · Prąd kolektora I(C): 30 A · Sposób montażu: do montażu w otworach · Typ obudowy półprzewodnika: TO-247
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory dużej mocy, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, Infineon Technologies, IKW15N120H3FKSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
Jest w magazynie Jest w magazynie
od PLN 35,04*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 43,61*
PLN 53,64
za szt.
od 2 szt.
PLN 43,47*
PLN 53,47
za szt.
od 5 szt.
PLN 42,21*
PLN 51,92
za szt.
od 10 szt.
PLN 41,10*
PLN 50,55
za szt.
od 20 szt.
PLN 39,92*
PLN 49,10
za szt.
od 3000 szt.
PLN 35,04*
PLN 43,10
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.