|  |
| |
| Nr artykułu:
7619-564033-BP Nr producenta:
IRFB4710PBF EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| MOSFET Infineon Technologies IRFB4710PBF | Dane techniczne: C(ISS): 6160 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 75 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: INF · Maksymalna temperatura robocza: +175 °C · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Moc (maks) P(TOT): 3.8 W · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 100 V · Napięcie odniesienia C(ISS): 25 V · Napięcie odniesienia Q(G): 10 V · Napięcie odniesienia R(DS)(on): 10 V · Natężenie odniesienia R(DS)(on): 45 A · Natężenie odniesienia maks U (GS)(th): 250 µA · Obudowa: TO-220AB · Producent: Infineon Technologies · Q(G): 170 C · R(DS) wł.: 14 mΩ · Rodzaj (typ producenta): IRFB4710PBF · Rodzaj montażu: do montażu w otworach · Seria (elementu półprzewodnikowego): HEXFET® · Typ tranzystora: MOSFET · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) max.: 5.5 V · Wykonanie: Kanał-N · Zgodne z RoHS: Tak |
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: MOSFET mocy, MOSFET dużej mocy, MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor polowy, Infineon Technologies, IRFB4710PBF, 543-1465 |
| | |
| | | Oferty (3) | | |
| | Stan magazynu | | | Wysyłka | | | | | | | | | | | | | | | | PLN 15,90* | od PLN 2,72* | PLN 4,92* | | | | | | | | | | PLN 12,90* | od PLN 4,41* | PLN 7,56* | | | | Magazyn 7619 | | | | | | PLN 16,25* | od PLN 10,44* | PLN 13,35* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Ceny: Magazyn 7619 | | Liczba zamawianego produktu | Netto | Brutto | Jednostka | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
|
| | | | | Stan magazynu: Magazyn 7619 | | Wysyłka: Magazyn 7619 | | | | | | Wartość zamówienia | Wysyłka | od PLN 0,00* | PLN 16,25* | | od PLN 333,00* | Dostawa bezpłatna |
|
| | | | | Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 7619 | | | | Anulowanie, wymiana lub zwrot tego artykułu są wykluczone. | | Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu. |
|
| | | | | | | |
|