Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor,wspólna bramka,wspólny emiter


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-5SNE0800G450300
Producent:
     ABB
Nr producenta:
     5SNE 0800G450300
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: ABB
Obudowa: HIPAK
Napięcie wsteczne maks.: 4,5kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 800A
Prąd kolektora w impulsie: 1,6kA
Montaż elektryczny: przykręcany
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: buck chopper;boost chopper
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 7 459,42*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 9 145,08*
PLN 11 248,45
za szt.
od 2 szt.
PLN 9 063,48*
PLN 11 148,08
za szt.
od 3 szt.
PLN 8 206,13*
PLN 10 093,54
za szt.
od 5 szt.
PLN 8 087,02*
PLN 9 947,03
za szt.
od 10 szt.
PLN 7 486,75*
PLN 9 208,70
za szt.
od 500 szt.
PLN 7 459,42*
PLN 9 175,09
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.