Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor,wspólna bramka,wspólny emiter


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-5SNE1000E330300
Producent:
     ABB
Nr producenta:
     5SNE 1000E330300
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: ABB
Obudowa: HIPAK
Napięcie wsteczne maks.: 3,3kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 1kA
Prąd kolektora w impulsie: 2kA
Montaż elektryczny: przykręcany
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: buck chopper;boost chopper
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 6 314,28*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 7 671,24*
PLN 9 435,63
za szt.
od 2 szt.
PLN 7 606,58*
PLN 9 356,09
za szt.
od 3 szt.
PLN 6 911,36*
PLN 8 500,97
za szt.
od 5 szt.
PLN 6 811,09*
PLN 8 377,64
za szt.
od 10 szt.
PLN 6 355,73*
PLN 7 817,55
za szt.
od 500 szt.
PLN 6 314,28*
PLN 7 766,56
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.