Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT x3; Ic: 35A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-A1P35S12M3
Producent:
     ST Microelectronics
Nr producenta:
     A1P35S12M3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
CMOS 4000
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: ACEPACK™1
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 35A
Prąd kolektora w impulsie: 70A
Zastosowanie: silniki;falownik
Moc rozpraszana: 250W
Montaż elektryczny: Press-in PCB
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: półmostek IGBT x3;termistor NTC
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 193,49*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 314,71*
PLN 387,09
za szt.
od 2 szt.
PLN 312,83*
PLN 384,78
za szt.
od 3 szt.
PLN 281,69*
PLN 346,48
za szt.
od 5 szt.
PLN 278,82*
PLN 342,95
za szt.
od 10 szt.
PLN 230,60*
PLN 283,64
za szt.
od 18 szt.
PLN 207,17*
PLN 254,82
za szt.
od 20 szt.
PLN 206,19*
PLN 253,61
za szt.
od 3000 szt.
PLN 193,49*
PLN 237,99
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.