Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Tranzystor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-DG30X07T2
Producent:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nr producenta:
     DG30X07T2
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Montaż: THT
Obudowa: TO247
Napięcie kolektor-emiter: 650V
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 30A
Prąd kolektora w impulsie: 90A
Czas załączania: 0,1µs
Czas wyłączania: 306ns
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 208W
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: integrated anti-parallel diode
Ładunek bramki: 0,22µC
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 7,01*
  
Cena obowiązuje od 15 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 12,48*
PLN 15,35
za szt.
od 3 szt.
PLN 11,22*
PLN 13,80
za szt.
od 10 szt.
PLN 9,72*
PLN 11,96
za szt.
od 20 szt.
PLN 9,59*
PLN 11,80
za szt.
od 30 szt.
PLN 8,64*
PLN 10,63
za szt.
od 50 szt.
PLN 8,26*
PLN 10,16
za szt.
od 100 szt.
PLN 8,08*
PLN 9,94
za szt.
od 15000 szt.
PLN 7,01*
PLN 8,62
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.