Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT x2; Ic: 150A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-F4150R12KS4BOSA1
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     F4150R12KS4BOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Obudowa: AG-ECONO3-4
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 150A
Prąd kolektora w impulsie: 300A
Moc rozpraszana: 960W
Montaż elektryczny: Press-in PCB
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: EconoPACK™ 3
Topologia: termistor NTC;półmostek IGBT x2
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 901,04*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 1 148,97*
PLN 1 413,23
za szt.
od 2 szt.
PLN 1 091,79*
PLN 1 342,90
za szt.
od 3 szt.
PLN 981,34*
PLN 1 207,05
za szt.
od 5 szt.
PLN 958,95*
PLN 1 179,51
za szt.
od 10 szt.
PLN 952,58*
PLN 1 171,67
za szt.
od 500 szt.
PLN 901,04*
PLN 1 108,28
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.