Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-GD10PJY120F1S
Producent:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nr producenta:
     GD10PJY120F1S
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Obudowa: F1.1
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 10A
Prąd kolektora w impulsie: 20A
Montaż elektryczny: Press-in PCB
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: Advanced Trench FS IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;termistor NTC;boost chopper;mostek 3-fazowy IGBT wyjście OE
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 94,34*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 150,26*
PLN 184,82
za szt.
od 2 szt.
PLN 143,95*
PLN 177,06
za szt.
od 3 szt.
PLN 127,02*
PLN 156,23
za szt.
od 5 szt.
PLN 123,97*
PLN 152,48
za szt.
od 10 szt.
PLN 110,29*
PLN 135,66
za szt.
od 20 szt.
PLN 107,99*
PLN 132,83
za szt.
od 25 szt.
PLN 105,63*
PLN 129,92
za szt.
od 3000 szt.
PLN 94,34*
PLN 116,04
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.