Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-GD10PJY120L2S
Producent:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nr producenta:
     GD10PJY120L2S
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Obudowa: L2.2
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 10A
Prąd kolektora w impulsie: 20A
Montaż elektryczny: Press-in PCB
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: Advanced Trench FS IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;termistor NTC;boost chopper;mostek 3-fazowy IGBT wyjście OE
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
PLN 134,40*
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 134,40*
PLN 165,31
za szt.
od 2 szt.
PLN 130,04*
PLN 159,95
za szt.
od 3 szt.
PLN 115,03*
PLN 141,49
za szt.
od 5 szt.
PLN 110,85*
PLN 136,35
za szt.
od 10 szt.
PLN 109,73*
PLN 134,97
za szt.
od 12 szt.
PLN 98,52*
PLN 121,18
za szt.
od 20 szt.
PLN 95,63*
PLN 117,62
za szt.
od 24 szt.
PLN 94,86*
PLN 116,68
za szt.
od 3000 szt.
PLN 85,36*
PLN 104,99
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.