Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-GD15PJY120F4S
Producent:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nr producenta:
     GD15PJY120F4S
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Obudowa: F4.1
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 15A
Prąd kolektora w impulsie: 30A
Montaż elektryczny: Press-in PCB
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: Advanced Trench FS IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;termistor NTC;boost chopper;mostek 3-fazowy IGBT wyjście OE
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 114,70*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 179,67*
PLN 220,99
za szt.
od 2 szt.
PLN 174,18*
PLN 214,24
za szt.
od 3 szt.
PLN 153,99*
PLN 189,41
za szt.
od 5 szt.
PLN 149,61*
PLN 184,02
za szt.
od 10 szt.
PLN 133,26*
PLN 163,91
za szt.
od 20 szt.
PLN 128,63*
PLN 158,21
za szt.
od 25 szt.
PLN 126,05*
PLN 155,04
za szt.
od 3000 szt.
PLN 114,70*
PLN 141,08
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.