Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-GD15PJY120L2S
Producent:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nr producenta:
     GD15PJY120L2S
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Obudowa: L2.2
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 15A
Prąd kolektora w impulsie: 30A
Montaż elektryczny: Press-in PCB
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: Advanced Trench FS IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;termistor NTC;boost chopper;mostek 3-fazowy IGBT wyjście OE
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 99,68*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 158,31*
PLN 194,72
za szt.
od 2 szt.
PLN 151,65*
PLN 186,53
za szt.
od 3 szt.
PLN 134,29*
PLN 165,18
za szt.
od 5 szt.
PLN 131,17*
PLN 161,34
za szt.
od 10 szt.
PLN 129,84*
PLN 159,70
za szt.
od 12 szt.
PLN 116,69*
PLN 143,53
za szt.
od 20 szt.
PLN 113,49*
PLN 139,59
za szt.
od 24 szt.
PLN 110,86*
PLN 136,36
za szt.
od 3000 szt.
PLN 99,68*
PLN 122,61
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.