Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1200V


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-GD200HFU120C2S
Producent:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nr producenta:
     GD200HFU120C2S
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Obudowa: C2 62mm
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 200A
Prąd kolektora w impulsie: 400A
Montaż elektryczny: przykręcany;konektory FASTON
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: NPT Ultra Fast IGBT
Topologia: półmostek IGBT
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 350,24*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 509,42*
PLN 626,59
za szt.
od 2 szt.
PLN 496,87*
PLN 611,15
za szt.
od 3 szt.
PLN 438,83*
PLN 539,76
za szt.
od 5 szt.
PLN 432,93*
PLN 532,50
za szt.
od 10 szt.
PLN 414,90*
PLN 510,33
za szt.
od 12 szt.
PLN 372,50*
PLN 458,18
za szt.
od 500 szt.
PLN 350,24*
PLN 430,80
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.