Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 25A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-GD25PJY120L3S
Producent:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nr producenta:
     GD25PJY120L3S
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Obudowa: L3.0
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 25A
Prąd kolektora w impulsie: 50A
Montaż elektryczny: Press-in PCB
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: Advanced Trench FS IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;termistor NTC;boost chopper;mostek 3-fazowy IGBT wyjście OE
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 148,81*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 222,00*
PLN 273,06
za szt.
od 2 szt.
PLN 216,57*
PLN 266,38
za szt.
od 4 szt.
PLN 191,28*
PLN 235,27
za szt.
od 5 szt.
PLN 190,01*
PLN 233,71
za szt.
od 10 szt.
PLN 188,36*
PLN 231,68
za szt.
od 16 szt.
PLN 169,33*
PLN 208,28
za szt.
od 20 szt.
PLN 164,04*
PLN 201,77
za szt.
od 3000 szt.
PLN 148,81*
PLN 183,04
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.