Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 35A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-GD35PJY120L3S
Producent:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nr producenta:
     GD35PJY120L3S
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Obudowa: L3.0
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 35A
Prąd kolektora w impulsie: 70A
Montaż elektryczny: Press-in PCB
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: Advanced Trench FS IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;termistor NTC;boost chopper;mostek 3-fazowy IGBT wyjście OE
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
PLN 231,97*
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 231,97*
PLN 285,32
za szt.
od 2 szt.
PLN 227,15*
PLN 279,39
za szt.
od 4 szt.
PLN 200,51*
PLN 246,63
za szt.
od 5 szt.
PLN 198,73*
PLN 244,44
za szt.
od 10 szt.
PLN 197,19*
PLN 242,54
za szt.
od 16 szt.
PLN 177,20*
PLN 217,96
za szt.
od 20 szt.
PLN 168,25*
PLN 206,95
za szt.
od 3000 szt.
PLN 156,34*
PLN 192,30
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.