Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-GD50FSX65L2S
Producent:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nr producenta:
     GD50FSX65L2S
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Obudowa: L2.1
Napięcie wsteczne maks.: 650V
Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 50A
Prąd kolektora w impulsie: 100A
Montaż elektryczny: Press-in PCB
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: Trench FS IGBT
Topologia: termistor NTC;mostek 3-fazowy IGBT wyjście OE
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 113,17*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 177,16*
PLN 217,91
za szt.
od 2 szt.
PLN 171,99*
PLN 211,55
za szt.
od 3 szt.
PLN 151,78*
PLN 186,69
za szt.
od 5 szt.
PLN 148,57*
PLN 182,74
za szt.
od 10 szt.
PLN 146,85*
PLN 180,63
za szt.
od 12 szt.
PLN 132,31*
PLN 162,74
za szt.
od 20 szt.
PLN 127,34*
PLN 156,63
za szt.
od 24 szt.
PLN 124,44*
PLN 153,06
za szt.
od 3000 szt.
PLN 113,17*
PLN 139,20
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.