Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 650V


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-GD50HFX65C1S
Producent:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nr producenta:
     GD50HFX65C1S
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Obudowa: C1 34mm
Napięcie wsteczne maks.: 650V
Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 50A
Prąd kolektora w impulsie: 100A
Montaż elektryczny: przykręcany;konektory FASTON
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: Trench FS IGBT
Topologia: półmostek IGBT
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
PLN 178,96*
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 178,96*
PLN 220,12
za szt.
od 2 szt.
PLN 175,58*
PLN 215,96
za szt.
od 3 szt.
PLN 155,53*
PLN 191,30
za szt.
od 5 szt.
PLN 153,21*
PLN 188,45
za szt.
od 10 szt.
PLN 150,68*
PLN 185,34
za szt.
od 12 szt.
PLN 135,21*
PLN 166,31
za szt.
od 20 szt.
PLN 127,13*
PLN 156,37
za szt.
od 24 szt.
PLN 127,09*
PLN 156,32
za szt.
od 3000 szt.
PLN 119,04*
PLN 146,42
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.