Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 650V


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-GD50HFX65C1S
Producent:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nr producenta:
     GD50HFX65C1S
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Obudowa: C1 34mm
Napięcie wsteczne maks.: 650V
Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 50A
Prąd kolektora w impulsie: 100A
Montaż elektryczny: przykręcany;konektory FASTON
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: Trench FS IGBT
Topologia: półmostek IGBT
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 119,13*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 182,02*
PLN 223,88
za szt.
od 2 szt.
PLN 176,40*
PLN 216,97
za szt.
od 3 szt.
PLN 156,24*
PLN 192,18
za szt.
od 5 szt.
PLN 154,23*
PLN 189,70
za szt.
od 10 szt.
PLN 150,44*
PLN 185,04
za szt.
od 12 szt.
PLN 135,02*
PLN 166,07
za szt.
od 20 szt.
PLN 128,22*
PLN 157,71
za szt.
od 24 szt.
PLN 127,54*
PLN 156,87
za szt.
od 3000 szt.
PLN 119,13*
PLN 146,53
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.