Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-HFGM150D12V3-HUA
Producent:
     HUAJING
Nr producenta:
     HFGM150D12V3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: HUAJING
Obudowa: V3 62MM
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±30V
Prąd kolektora: 150A
Prąd kolektora w impulsie: 350A
Zastosowanie: do UPS;falownik
Montaż elektryczny: przykręcany;konektory FASTON
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: PT
Topologia: półmostek IGBT
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
PLN 345,38*
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 345,38*
PLN 424,82
za szt.
od 2 szt.
PLN 342,42*
PLN 421,18
za szt.
od 3 szt.
PLN 308,22*
PLN 379,11
za szt.
od 5 szt.
PLN 304,02*
PLN 373,94
za szt.
od 10 szt.
PLN 253,45*
PLN 311,74
za szt.
od 500 szt.
PLN 237,60*
PLN 292,25
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.