Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-HFGM200D12V3-HUA
Producent:
     HUAJING
Nr producenta:
     HFGM200D12V3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: HUAJING
Obudowa: V3 62MM
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±30V
Prąd kolektora: 200A
Prąd kolektora w impulsie: 400A
Zastosowanie: do UPS;falownik
Montaż elektryczny: przykręcany;konektory FASTON
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: PT
Topologia: półmostek IGBT
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
PLN 362,36*
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 362,36*
PLN 445,70
za szt.
od 2 szt.
PLN 358,74*
PLN 441,25
za szt.
od 3 szt.
PLN 322,99*
PLN 397,28
za szt.
od 5 szt.
PLN 319,17*
PLN 392,58
za szt.
od 10 szt.
PLN 266,07*
PLN 327,27
za szt.
od 500 szt.
PLN 248,12*
PLN 305,19
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.