Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Tranzystor: N-JFET; CoolGaN™; unipolarny; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-IGOT60R070D1AUMA1
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     IGOT60R070D1AUMA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
Tranzystor polowy
Tranzystory polowe
Tranzystor unipolarny
Tranzystory unipolarne
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaż: SMD
Obudowa: PG-DSO-20
Prąd bramki: 20mA
Napięcie dren-źródło: 600V
Prąd drenu: 31A
Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ
Typ tranzystora: N-JFET
Moc rozpraszana: 125W
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj opakowania: taśma
Ładunek bramki: 5,8nC
Technologia: CoolGaN™
Rodzaj tranzystora: HEMT
Rodzaj kanału: wzbogacany
Napięcie bramka-źródło: -10V
Prąd drenu w impulsie: 60A
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 76,85*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 119,79*
PLN 147,34
za szt.
od 2 szt.
PLN 116,69*
PLN 143,53
za szt.
od 3 szt.
PLN 105,12*
PLN 129,30
za szt.
od 5 szt.
PLN 101,19*
PLN 124,46
za szt.
od 10 szt.
PLN 87,74*
PLN 107,92
za szt.
od 3000 szt.
PLN 76,85*
PLN 94,53
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.