Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Nr artykułu:
     8WVXN-IXBH10N300HV
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     IXBH10N300HV
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Producent: IXYS
Montaż: THT
Obudowa: TO247HV
Napięcie kolektor-emiter: 3kV
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 10A
Prąd kolektora w impulsie: 88A
Czas załączania: 805ns
Czas wyłączania: 2,13µs
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 180W
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: wysokonapięciowa
Ładunek bramki: 46nC
Technologia: BiMOSFET™
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 241,99*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 360,91*
PLN 443,92
za szt.
od 2 szt.
PLN 354,51*
PLN 436,05
za szt.
od 3 szt.
PLN 312,98*
PLN 384,97
za szt.
od 5 szt.
PLN 311,03*
PLN 382,57
za szt.
od 10 szt.
PLN 270,33*
PLN 332,51
za szt.
od 30 szt.
PLN 265,91*
PLN 327,07
za szt.
od 500 szt.
PLN 241,99*
PLN 297,65
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.