Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO247-3


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO247-3
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO247-3
Nr artykułu:
     8WVXN-IXBH16N170A
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     IXBH16N170A
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Producent: IXYS
Montaż: THT
Obudowa: TO247-3
Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 10A
Prąd kolektora w impulsie: 40A
Czas załączania: 43ns
Czas wyłączania: 370ns
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 150W
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: wysokonapięciowa
Ładunek bramki: 65nC
Technologia: BiMOSFET™
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 46,33*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 71,58*
PLN 88,04
za szt.
od 2 szt.
PLN 71,48*
PLN 87,92
za szt.
od 3 szt.
PLN 63,21*
PLN 77,75
za szt.
od 5 szt.
PLN 59,71*
PLN 73,44
za szt.
od 10 szt.
PLN 53,61*
PLN 65,94
za szt.
od 20 szt.
PLN 52,99*
PLN 65,18
za szt.
od 3000 szt.
PLN 46,33*
PLN 56,99
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.