Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO247-3


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO247-3
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO247-3
Nr artykułu:
     8WVXN-IXBH42N170A
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     IXBH42N170A
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Producent: IXYS
Montaż: THT
Obudowa: TO247-3
Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 21A
Prąd kolektora w impulsie: 265A
Czas załączania: 33ns
Czas wyłączania: 308ns
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 357W
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: wysokonapięciowa
Ładunek bramki: 188nC
Technologia: BiMOSFET™
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 82,62*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 118,49*
PLN 145,74
za szt.
od 2 szt.
PLN 114,28*
PLN 140,56
za szt.
od 3 szt.
PLN 102,96*
PLN 126,64
za szt.
od 5 szt.
PLN 99,02*
PLN 121,79
za szt.
od 10 szt.
PLN 94,36*
PLN 116,06
za szt.
od 20 szt.
PLN 91,34*
PLN 112,35
za szt.
od 3000 szt.
PLN 82,62*
PLN 101,62
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.