Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO268


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO268
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO268
Nr artykułu:
     8WVXN-IXBT10N170
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     IXBT10N170
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor SMD
Producent: IXYS
Montaż: SMD
Obudowa: TO268
Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 10A
Prąd kolektora w impulsie: 40A
Czas załączania: 63ns
Czas wyłączania: 1,8µs
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 140W
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: wysokonapięciowa
Ładunek bramki: 30nC
Technologia: BiMOSFET™
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 31,43*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 45,30*
PLN 55,72
za szt.
od 2 szt.
PLN 45,11*
PLN 55,49
za szt.
od 3 szt.
PLN 40,52*
PLN 49,84
za szt.
od 5 szt.
PLN 39,93*
PLN 49,11
za szt.
od 10 szt.
PLN 36,50*
PLN 44,90
za szt.
od 20 szt.
PLN 36,24*
PLN 44,58
za szt.
od 3000 szt.
PLN 31,43*
PLN 38,66
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.