Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 24A; 250W; TO268


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 24A; 250W; TO268
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 24A; 250W; TO268
Nr artykułu:
     8WVXN-IXBT24N170
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     IXBT24N170
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor SMD
Producent: IXYS
Montaż: SMD
Obudowa: TO268
Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 24A
Prąd kolektora w impulsie: 230A
Czas załączania: 190ns
Czas wyłączania: 1285ns
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 250W
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: wysokonapięciowa
Ładunek bramki: 0,14µC
Technologia: BiMOSFET™
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 86,82*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 124,97*
PLN 153,71
za szt.
od 2 szt.
PLN 120,12*
PLN 147,75
za szt.
od 3 szt.
PLN 107,88*
PLN 132,69
za szt.
od 5 szt.
PLN 104,12*
PLN 128,07
za szt.
od 10 szt.
PLN 99,15*
PLN 121,95
za szt.
od 20 szt.
PLN 96,12*
PLN 118,23
za szt.
od 3000 szt.
PLN 86,82*
PLN 106,79
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.