Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 2A; 32W; TO268


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 2A; 32W; TO268
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 2A; 32W; TO268
Nr artykułu:
     8WVXN-IXBT2N250
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     IXBT2N250
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor SMD
Producent: IXYS
Montaż: SMD
Obudowa: TO268
Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 2A
Prąd kolektora w impulsie: 13A
Czas załączania: 310ns
Czas wyłączania: 252ns
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 32W
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: wysokonapięciowa
Ładunek bramki: 10,6nC
Technologia: BiMOSFET™
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 63,27*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 90,84*
PLN 111,73
za szt.
od 2 szt.
PLN 89,75*
PLN 110,39
za szt.
od 3 szt.
PLN 81,41*
PLN 100,13
za szt.
od 5 szt.
PLN 76,54*
PLN 94,14
za szt.
od 10 szt.
PLN 72,35*
PLN 88,99
za szt.
od 20 szt.
PLN 72,00*
PLN 88,56
za szt.
od 3000 szt.
PLN 63,27*
PLN 77,82
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.