Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO268


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO268
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO268
Nr artykułu:
     8WVXN-IXBT42N170A
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     IXBT42N170A
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor SMD
Producent: IXYS
Montaż: SMD
Obudowa: TO268
Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 21A
Prąd kolektora w impulsie: 265A
Czas załączania: 33ns
Czas wyłączania: 308ns
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 357W
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: wysokonapięciowa
Ładunek bramki: 188nC
Technologia: BiMOSFET™
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 82,45*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 133,27*
PLN 163,92
za szt.
od 2 szt.
PLN 127,72*
PLN 157,10
za szt.
od 3 szt.
PLN 112,91*
PLN 138,88
za szt.
od 5 szt.
PLN 110,51*
PLN 135,93
za szt.
od 10 szt.
PLN 98,09*
PLN 120,65
za szt.
od 20 szt.
PLN 95,15*
PLN 117,03
za szt.
od 30 szt.
PLN 91,62*
PLN 112,69
za szt.
od 3000 szt.
PLN 82,45*
PLN 101,41
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.