Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Nr artykułu:
     8WVXN-IXXN110N65C4H1
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     IXXN110N65C4H1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: IXYS
Obudowa: SOT227B
Napięcie wsteczne maks.: 650V
Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 110A
Prąd kolektora w impulsie: 470A
Moc rozpraszana: 750W
Montaż elektryczny: przykręcany
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: GenX3™;XPT™
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 103,60*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 161,02*
PLN 198,05
za szt.
od 2 szt.
PLN 154,28*
PLN 189,76
za szt.
od 3 szt.
PLN 138,81*
PLN 170,74
za szt.
od 5 szt.
PLN 135,38*
PLN 166,52
za szt.
od 10 szt.
PLN 118,24*
PLN 145,44
za szt.
od 20 szt.
PLN 116,16*
PLN 142,88
za szt.
od 3000 szt.
PLN 103,60*
PLN 127,43
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.