Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; Idm: 200A; 370W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-LGE3M25120Q
Producent:
     LUGUANG ELECTRONIC
Nr producenta:
     LGE3M25120Q
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
Tranzystor polowy
Tranzystory polowe
Tranzystor unipolarny
Tranzystory unipolarne
Producent: LUGUANG ELECTRONIC
Montaż: THT
Obudowa: TO247-4
Napięcie dren-źródło: 1,2kV
Prąd drenu: 60A
Rezystancja w stanie przewodzenia: 43mΩ
Typ tranzystora: N-MOSFET
Moc rozpraszana: 370W
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: wyprowadzenie Kelvina
Ładunek bramki: 54nC
Technologia: SiC
Rodzaj kanału: wzbogacany
Napięcie bramka-źródło: -5...20V
Prąd drenu w impulsie: 200A
Dalsze słowa kluczowe: tranzystor polowy
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 67,42*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 117,12*
PLN 144,06
za szt.
od 2 szt.
PLN 115,50*
PLN 142,07
za szt.
od 3 szt.
PLN 103,64*
PLN 127,48
za szt.
od 5 szt.
PLN 98,81*
PLN 121,54
za szt.
od 10 szt.
PLN 85,77*
PLN 105,50
za szt.
od 20 szt.
PLN 84,98*
PLN 104,53
za szt.
od 30 szt.
PLN 81,31*
PLN 100,01
za szt.
od 120 szt.
PLN 76,04*
PLN 93,53
za szt.
od 3000 szt.
PLN 67,42*
PLN 82,93
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.